Главная » Новини » Samsung начала выпуск встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти

Samsung начала выпуск встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти

Samsung начала выпуск встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти

Samsung Electronics объявила о начале массового производства своей первой встраиваемой магниторезистивной оперативной памяти (embedded magnetic random access memory, eMRAM) на базе 28-нм технологического процесса FD-SOI (fully-depleted silicon-on-insulator — полностью обедненный кремний на изоляторе), получившего название 28FDS.

Как отмечается, технологический процесс 28FD-SOI предусматривает более эффективное управление транзисторами и минимизацию токов утечки за счет управления напряжением смещения относительно корпуса (body-bias control). Благодаря этому представленное Samsung решение eMRAM обеспечивает преимущества для различных сфер применения микроконтроллеров, устройств Интернета вещей и технологий искусственного интеллекта.

Поскольку технология eFlash столкнулась с проблемами масштабируемости, обусловленными тем, что она опирается на принцип накопления заряда, наиболее многообещающим преемником для нее стала технология eMRAM. Магниторезистивный эффект, лежащий в ее основе, предполагает высокую масштабируемость и обеспечивает превосходные технические характеристики, в том числе энергонезависимость, возможность произвольного доступа и высокую износостойкость.

Представленное Samsung решение eMRAM на базе 28FDS обеспечивает преимущества с точки зрения энергопотребления и скорости при меньшей стоимости. Скорость записи у этой технологии примерно в тысячу раз выше, чем у eFlash, так как eMRAM не требует цикла стирания перед записью данных. Кроме того, память eMRAM использует более низкие уровни напряжения, чем eFlash, и не потребляет энергию в выключенном режиме, за счет чего достигается более высокая энергоэффективность.

Поскольку модуль eMRAM можно интегрировать в конце технологического процесса (back-end of the process) с добавлением минимального числа слоев, он в меньшей степени зависит от первых стадий (front-end), что предполагает простую интеграцию с уже существующими технологиями изготовления логики. Благодаря «встраиваемой» (plug-in) модульной концепции заказчики получают возможность использования уже существующей инфраструктуры проектирования, даже с новой технологией eMRAM, что ведёт к снижению издержек.

В течение ближайшего года Samsung намерена расширить портфолио решений eNVM высокой плотности, в частности, передать в производство тестовый чип eMRAM емкостью 1 ГБ.

[embedded content]

Дякуємо: ko.com.ua

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан. Обязательные для заполнения поля помечены *

*