Главная » Новини » Samsung начинает выпуск накопителей на базе 90-слойных модулей V-NAND

Samsung начинает выпуск накопителей на базе 90-слойных модулей V-NAND

Samsung начинает выпуск накопителей на базе 90-слойных модулей V-NAND

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства V-NAND флеш-памяти с максимальной скоростью передачи данных в отрасли. Благодаря ‘Toggle DDR 4.0’ интерфейсу, используемого впервые в индустрии, скорость обмена данными между накопителем и новыми 256-гигабитными V-NAND модулями флеш-памяти достигла 1.4 гигабит в секунду (Гбит/сек.), что на 40% выше скорости 64-слойных чипов предыдущего поколения.

Энергоэффективность новых V-NAND флеш-модулей Samsung сравнима с показателями 64-слойного чипа, что обусловлено снижением рабочего напряжения с 1,8 до 1.2 вольт. Новые V-NAND модули также отличаются минимальным временем записи данных, составляющим 500 микросекунд (μs), что на 30% превышает аналогичные показатели модулей памяти предшествующего поколения. При этом время реакции на считывание сигнала было значительно сокращено — до 50 микросекунд (μs).

V-NAND модули флеш-памяти Samsung пятого поколения включают 90 слоев ячеек, изготовленных по технологии 3D charge trap flash (CTF). Эти ячейки (максимальное количество слоев в отрасли) сформированы в пирамидальную структуру со сквозными микроскопическими каналами. Cквозные каналы шириной несколько сотен нанометров (нм) содержат более 85 миллиардов CTF ячеек, каждая из которых может хранить три бита данных.

Благодаря совершенствованию технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), продуктивность производства V-NAND модулей была увеличена более, чем на 30%. Эта технология позволила уменьшить высотку слоя в каждой ячейке на 20%, что обеспечила устранение перекрестных помех между ячейками и повысить эффективность обработки данных ячейки.

«Кроме выдающихся достижений в области технологии производства компонентов памяти, мы готовимся представить 1-терабитные и четырехуровневые QLC-чипы в дополнение к нашей линейке V-NAND модулей, что станет стимулом к созданию решений на основе компонентов NAND памяти следующего поколения», — заявил Ке Хён Кёнг (Kye Hyun Kyung), вице-президент департамента флеш-памяти и технологии Samsung Electronics.

Также отмечается, что учитывая растущие требования рынка, компания Samsung планирует быстро увеличить массовое производство V-NAND модулей памяти пятого поколения.

Дякуємо: ko.com.ua

Оставить комментарий

Ваш email нигде не будет показан. Обязательные для заполнения поля помечены *

*